在闪存峰会上探索内存的未来

这是记忆技术发展的一个有趣时期。物联网(IoT)和5G网络的出现将在未来几年推动数据爆炸,其中大部分数据将由机器生成。随着所有这些数据的出现,我们需要新的计算架构,能够使用人工智能和机器学习算法有效地处理和分析数据。为了满足这些新架构的性能和功率需求,需要在内存技术方面进行创新,包括传统内存的持续改进以及更多地采用新的内存类型。

闪存峰会下周在圣克拉拉,存储行业专家将聚集在一起探索存储技术的未来。188金宝搏备用网址应用材料将做两场关于新兴记忆的演讲:

  • 内存集团高级产品技术开发董事总经理Mahendra Pakala将讨论MRAM的设备路线图,包括当前和潜在的未来应用8月5日,星期一,上午10:25
  • Kevin Moraes,金属沉积产品副总裁,将介绍加速MRAM, PCRAM和ReRAM大批量生产的挑战和解决方案8月7日,星期三,下午4:35

MRAM正逐渐成为物联网设备的主要候选者,因为它具有低功耗、非易失性、相对较快和高耐久性。PCRAM和ReRAM是快速、非易失性、低功耗、高密度的存储器,可以用作存储类存储器,以填补服务器DRAM和存储器之间日益扩大的价格性能差距。这三种内存类型都是基于新材料和3D结构直到最近对大批量生产来说太有挑战性了。

随着人工智能时代的到来,应用程序公司今年开展了许多活动,其中之一就是参加Flash Memory峰会,我们希望与更广泛的技术生态系统接触。随着摩尔定律的减速,我们相信整个人工智能价值链——从材料科学家到设计算法的数据科学家——需要更紧密地并行合作,而不是传统的串行过程。

最近,我们主办了第二届人工智能设计论坛™在这里,来自整个计算生态系统的顶尖技术首席执行官和行业思想领袖齐聚一堂,讨论从材料到系统的计算的未来。今年早些时候,我们在神经启发计算元素(neuroinspired Computational Elements,不错的)车间。我们也一个成员我们正在与Arm, Symetrix,科罗拉多大学博尔德分校和英属哥伦比亚大学合作一个项目该项目由美国国防高级研究计划局(DARPA)资助,旨在为人工智能设计新的设备结构及其制造配方。

逻辑和存储架构都面临着新的挑战和机遇,这依赖于新材料和制造工艺来实现人工智能的承诺。要想在这个新时代取得成功,我们所有人都要围坐在一张桌子旁,讨论解决复杂挑战的新想法和解决方案。应用的下一个目标是闪存峰会。看到你在那里!

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