在闪存峰会中探索内存的未来

这是记忆技术演变的一个有趣的时期。事物互联网(IOT)和5G网络的出现将在未来几年推动数据爆炸,其中大多数将由机器产生。除此之外,所有这些数据都需要新的计算架构,可以有效地处理和分析数据使用AI和机器学习算法。为了满足这些新架构的性能和功率要求,需要在内存技术中的创新,包括常规存储器的持续进步以及增加新内存类型的采用。

闪存峰会下周在圣克拉拉,记忆行业专家将聚集在一起探索内存技术的未来。188金宝搏备用网址应用材料将使两个演示文稿重点关注新兴记忆:

  • Mahendra Pakala,Mement Group,先进的产品技术开发,将讨论MRAM的设备路线图,包括当前和潜在的未来应用,星期一,8月5日上午10:25。
  • 金属沉积产品副总裁Kevin Moraes将展示加速MRAM,PCRAM和RERAM的大批量生产的挑战和解决方案星期三,8月7日下午4:35。

MRAM作为IOT设备的主要候选人,因为它是低功耗,非易失性,相对较快,提供高耐力。PCRAM和RERAM是快速,非易失性,低功耗,高密度存储器,可用作存储类存储器,以填充服务器DRAM和存储之间的价格性能差距。所有三种内存类型都基于新的材料和3D结构直到最近对大批量生产过于挑战。

Applied在闪存峰会上的参与是该公司今年所开展的许多活动之一,因为AI时代展开,我们希望与技术生态系统的更广泛的横截面互动。随着摩尔法缩放的放缓,我们相信整个AI价值链 - 从材料科学家到数据科学家制作算法 - 需要更紧密和平行地工作,而不是传统的串行过程。

最近,我们举办了第二个AI Design Forum™领导技术的首席执行官和行业思想领导者来自整个计算生态系统召集,讨论了计算 - 从材料到系统的未来。今年早些时候,我们提出了在神经启发的计算元素(以来)的设备和系统架构演进的概述(好的) 作坊。也是成员IBM研究AI硬件中心,我们正在使用ARM,Symetrix,科罗拉多大学博尔德和英国哥伦比亚大学一个专案由国防高级研究项目署(DARPA)资助,为AI及其制造食谱设计新的设备结构。

逻辑和内存架构都面临新的挑战和机遇,依赖于新材料和制造过程来实现AI的承诺。在这个新的时代成功将让我们所有人都绕着同一张表讨论解决复杂挑战的新颖思想和解决方案。接下来适用于闪存峰值。到时候那里见!

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