在PRiME 2016创新晶体管缩放

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188金宝搏备用网址应用材料将在Prime 2016.美国最大的国际研究会议之一,将于10月2日至7日在夏威夷檀香山举行。这个重要的会议由电化学学会(ECS)、日本电化学学会(ECSJ)和韩国电化学学会(KECS)主办,每四年召开一次。Applied公司的演讲将聚焦于晶体管缩放的变化,特别是制造先进器件所需的外延技术和材料创新。
为了解决器件可扩展性问题,晶体管设计中发生的一个历史性变化是向FinFET的多栅结构的转变,这使得栅极长度的增加和静电性能的显著提高成为可能。除了FinFET, GAA (Gate All Around)器件结构是最有希望的途径之一,提供另一个颠覆性飞跃的晶体管规模。外延正在为实现这些设备架构扮演越来越关键的作用,它具有比平面设备更复杂的集成方案和更紧凑的过程控制要求。
在过去的几十年里,锗(Ge)、硅锗(SiGe)和III-V半导体材料由于其优越的电子和光学特性以及极大的提高器件性能的潜力而引起了人们的广泛关注。硅锗外延层可以作为虚拟衬底,用于拉伸或压缩应变层的生长,这些层可以作为N和PMOS通道,支持Si CMOS技术的持续扩展。与Si相比,III-V材料的迁移率高约10倍,注射速度快2-3倍。CMOS器件可以受益于较高的移动性和注入速度,以改善工作频率、电流和功耗,并减少短通道效应。
应变松弛硅锗缓冲层:从增长到整合挑战
A. Dube, Y. C. Huang, B. Cherian, K. Nafisi, H. Chung, and S. Chu(应188金宝搏备用网址用材料)
2016年10月4日,星期二,下午2:00
组外延应用,使高级设备伸缩
B. P. Colombeau, M. Bauer, B. S. Wood, H. Chung, J. Hebb, Y. C. Huang, X. Tao, S. Chopra, A. Dube, M. Chudzik, S. Chu(应用材料)188金宝搏备用网址
2016年10月5日,星期三,下午2:40
在大型硅晶圆上构建III-V器件
包向阳,叶哲,D. Carlson, E. Sanchez(应用材料)188金宝搏备用网址
2016年10月5日,星期三,下午6:00
新信道应用中外延的最佳目标函数,例如水平门(HGAA)设备架构,使用纳米电脑或纳米线
M. Bauer(应188金宝搏备用网址用材料)
2016年10月7日星期五,上午8:00
氧化硅底物上的锗微晶的生长和蚀刻形式
黄永昌,蔡茂平,周辉,钟辉(应用材料)188金宝搏备用网址
2016年10月7日星期五,下午1:40
Applied还将在该活动上举办招待会。你可以在这里注册
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